ターゲット材料、放射源、ｅｕｖリソグラフィ装置およびこれらを用いたデバイス製造方法

专利摘要:
ターゲット材料は、６．８ｎｍ範囲内の波長を有する放射ビームを生成するように構成された放射源において使用されるように構成される。ターゲット材料は、Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物、Ｔｂ、またはＴｂの溶融温度を低下させるように構成されたＴｂベースの組成物を含む。
公开号:JP2011515810A
申请号:JP2011500718
申请日:2009-03-20
公开日:2011-05-19
发明作者:イワノフ，ウラディミル，ヴィタレヴィッチ；クリヴツン，ヴラディミア，ミハイロヴィッチ；グルスコフ，デニス；ニコラエヴィッチ コシェレヴ，コンスタンティン；チュリロフ，セルゲイ；バニエ，バディム，エヴィジェンエビッチ；ブリーカー，アーノ，ジャン；モールス，ヨハネス，フベルトゥス，ヨセフィナ
申请人:エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．；
IPC主号:H05G1-00

专利说明:

[0001] 関連出願への相互参照
[0001] 本願は、２００８年３月２１日に出願した米国仮出願第６１／０６４，７２０号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。]
[0002] [0002] 本発明は、ガドリニウムまたはテルビウムを含むターゲット材料、放射源およびＥＵＶリソグラフィ装置、ならびにこれらを用いたデバイス製造方法に関する。]
背景技術

[0003] [0003]リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって可能となる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。]
[0004] [0004] 特に、１３．５ｎｍ範囲の放射、あるいは６．８ｎｍ範囲の放射までも使用するリソグラフィ装置が公知である。後者に対しては、ガドリニウム（Ｇｄ）ターゲットまたはガドリニウム化合物を含むターゲットが公知である。例えば、米国特許公開公報
第２００６／０１３３５７４Ａ１号は、６．８ｎｍビームを生成するように設計されたＧｄターゲットを有するリソグラフィ装置について記載しており、６．８ｎｍ放射はレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を用いて生成される。ＥＵＶ発光領域のレーザ吸収領域を近づけるために、あるいは重なるようにするために、公知のＧｄターゲットは、ガドリニウムまたはその化合物、例えば酸化ガドリニウムの結晶密度の０．５％〜８０％の範囲における密度を有するように構成される。]
[0005] [0005] 公知のリソグラフィ装置では、約１３１３℃であるＧｄの高い溶融温度により、レーザ生成プラズマを生成するためにガドリニウムの小滴を生成することが技術的に要求されている。さらに、減少した密度を有するＧｄターゲットは、異なるＥＵＶ放射生成手段または放射ジェネレータとの使用に適していない。]
[0006] [0006]放射生成手段または放射ジェネレータに対して多目的であり得るリソグラフィ装置で使用されるように構成された放射源において使用されるターゲット材料を提供することが、本発明の一態様である。]
[0007] [0007] 本発明の一態様によると、極端紫外線範囲内の波長を有する放射ビームを生成するように構成された放射源において使用されるターゲット材料が提供される。ターゲット材料は、Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物を含む。]
[0008] [0008]ターゲット材料は、複数の成形前の固体小滴を含んでよい。これらの小滴を形成するためには、Ｇｄベースの組成物を結合剤材料に埋め込んで固体小滴を形成することができる。Ｇｄ組成物は、Ｇｄ共晶合金のコロイド化合物を含んでよい。]
[0009] [0009]組成物は、Ｇｄの溶融温度を低下させるように構成されてよい。あるいは、組成物は、Ｇｄの溶融温度を上昇させるように構成されてもよい。Ｇｄの溶融温度を上昇させるように構成されたそのような組成物は、Ｇｄと、例えばＢ、Ｐ、Ｓｅ、Ａｓ、Ｓ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｎ、Ｏ、ＣまたはＳｉなどの非金属との合金を含んでよい。]
[0010] [0010] 本発明の一態様によると、前述されたようなターゲット材料を含むリソグラフィ装置における使用のための放射源が提供される。]
[0011] [0011] 本発明の一態様によると、前述されたような放射源を含むリソグラフィ装置が提供される。放射ビームは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源または放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源を用いて生成されてよい。]
[0012] [0012]リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成することが可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとをさらに含んでよい。]
[0013] [0013] 本発明の一態様によると、パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法が提供される。放射は、Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物を含むターゲット材料を用いて生成される。]
[0014] [0014] 本発明の一態様によると、パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法が提供される。放射は、複数の成形前の固体小滴として構成されたＧｄを含むターゲット材料を用いて生成される。複数の成形前の固体小滴は、Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄ組成物を含んでよい。]
[0015] [0015] 本発明の一態様によると、パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法が提供される。放射は、テルビウムを含むターゲット材料を用いて生成される。]
[0016] [0016] 本発明の一態様によると、Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物と、放射ビームを生成するためにレーザビームをターゲット材料に供給するように構成されたレーザ源とを含む放射源が提供される。]
[0017] [0017] 本発明の一態様によると、極端紫外線の放射ビームを生成するように構成された放射源を含むリソグラフィ装置が提供される。放射源は、Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物と、放射ビームを生成するためにレーザビームをターゲット材料に供給するように構成されたレーザ源とを含む。装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートとをさらに含む。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成することが可能である。装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとをさらに含む。]
[0018] [0018] 本発明の一態様によると、Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物を含むターゲット材料を用いて放射を生成することと、放射をパターン付けすることと、パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することとを含むデバイス製造方法が提供される。]
[0019] [0019] 本発明の一態様によると、複数の成形前の固体小滴として構成されたＧｄを含むターゲット材料を用いて放射を生成することと、放射をパターン付けすることと、パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することとを含むデバイス製造方法が提供される。]
[0020] [0020] さらなる別の態様によると、極端紫外線範囲内の波長を有する放射ビームを生成するためのターゲット材料であって、複数の成形前の固体小滴として構成されたＧｄを含むターゲット材料が提供される。さらなる態様によると、そのようなターゲット材料は、リソグラフィ装置に含まれ得る放射源に含まれてよい。放射ビームは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）または放電生成プラズマ（ＤＰＰ）を用いて生成されてよい。リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成することが可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとをさらに含んでよい。]
[0021] [0021] 本発明の一態様によると、テルビウムを含むターゲット材料を用いて放射を生成することと、放射をパターン付けすることと、パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することとを含むデバイス製造方法が提供される。]
図面の簡単な説明

[0022] [0022] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。]
[0023] [0023]図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
[0024]図２は、レーザ生成プラズマに対する構成の一実施形態を概略的に示す。
[0025]図３は、放電生成プラズマに対する構成の一実施形態を概略的に示す。
[0026]図４は、複数の固体小滴として構成されたＧｄターゲットの一実施形態を概略的に示す。] 図１ 図２ 図３ 図４
実施例

[0024] [0027]図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、約６．８ｎｍの波長を有する放射ビームＢを調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。] 図１
[0025] [0028]照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。]
[0026] [0029]サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。]
[0027] [0030] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。]
[0028] [0031]パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。]
[0029] [0032] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、反射型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。]
[0030] [0033] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。]
[0031] [0034]リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。]
[0032] [0035]図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。本発明による放射源は、約６．８ｎｍの波長を有する放射ビームを生成するように構成されたターゲット材料を含む。ターゲット材料は、純Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物を含む。詳細には、Ｇｄ組成物は、純Ｇｄの溶融温度を低下させるように、あるいは純Ｇｄの溶融温度を上昇させるように選択することも可能である。前者は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源における使用に特に有利であり得る。純Ｇｄの溶融温度が約１３１３℃であるということにより、レーザビームによって衝突されるように設計される小滴の形成は技術的に難しい。ターゲット材料として、純Ｇｄの代わりにＧｄの共晶合金を使用することにより溶融温度を実質的に低下させることによって、ＬＰＰの生成を実質的に簡略化することができる。例えば、表Ｉに記載された以下の共晶合金は、約６．８ｎｍの波長を有する放射を放出するＥＵＶターゲットとしての使用に適している。] 図１
[0033] ]
[0034] [0037] それぞれの合金におけるガドリニウムの所定の質量百分率に対して２倍のガドリニウムのオリジナル溶融温度の低下により、Ｇｄ：Ｃｕ、Ｇｄ：ＮｉまたはＧｄ：Ｃｏの共晶合金を使用することが望ましい場合がある。リソグラフィ装置のためのターゲット材料としての使用に適した共晶合金は、特定のＧｄ質量百分率に限定されないが、あらゆる特定の共晶合金におけるＧｄ原子量の百分率は約６０％〜約９０％の範囲内であってよい。共晶合金はバイメタル合金に限定されず、３つ以上の金属を含んでよい。]
[0035] [0038]共晶合金は、純ガドリニウムの溶融温度を低下させるということの次に、純ガドリニウムターゲットと比較して少量の汚染を生成することができるという追加の利点を有することが分かった。ターゲットとしての小滴は、特に、小滴が最適量の放射生成材料を含む場合、大質量のターゲットと比較して少ない汚染を生成するという利点を有し得る。特に、小滴がそのような材料を最適量より少なく含む場合、レーザビームによる小滴の過熱が生じ得る。小滴がそのような材料を最適量より多く含む場合、相対的に冷たい材料が豊富であり、これは生成されたＥＵＶ放射を汚染および吸収し得る。固体小滴は、１０〜１００マイクロメートルの範囲、好ましくは１０〜５０マイクロメートルの範囲で寸法決めされてよく、よって、６．８ｎｍビームの生成のために約１０１３〜１０１６の範囲内の最適量のＧｄ原子を含むように構成されてよい。]
[0036] [0039] 低下した溶融温度を有するＧｄを含むターゲット材料は、複数の成形前(pre-fabricated)の固体小滴を含んでよい。そのような固体小滴におけるＧｄ原子の最適量は、１０〜１００マイクロメートルの範囲内の小滴サイズに対して１０１３〜１０１６原子の範囲内であってよい。これは、流体小滴を使用する従来のＬＰＰに対する技術的に単純化された同等物を示す。このようにして、大質量のターゲットから液体小滴を生成するステップを回避することができるため、６．８ｎｍ放射ビームを生成するために必要とされるかなりの量のエネルギーをセーブすることができる。Ｇｄベースの共晶合金は、固体小滴を形成するためにプラスチックなどの結合剤材料の中に埋め込まれてよい。次に固体小滴は、６．８ｎｍ放射を生成するためにレーザビームの付近に提供されてよい。ＬＰＰ源のさらなる詳細は、図２を参照して以下に述べられる。] 図２
[0037] [0040] 一実施形態では、固体小滴は、さらなる適切なエレメントとのコロイド化合物として提供される適切なＧｄ共晶合金によって形成されてよい。これは、単純化された小滴調製という利点を有し得る。]
[0038] [0041] Ｇｄベースのターゲットの広い用途を可能にするためには、本発明の実施形態によると、Ｇｄ組成物は純Ｇｄの溶融温度を上昇させるように構成されてよい。そのような組成物は、非金属とＧｄとの合金を含んでよく、非金属は、Ａｇ、Ｂ、Ｐ、Ｓｅ、Ａｓ、Ｓ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｎ、Ｏ、ＣおよびＳｉからなる群から選択される。]
[0039] [0042] 上昇した溶融温度を有するＧｄ組成物の供給は、リソグラフィ装置での使用のために構成される放射源内の固体ターゲットとしての使用に好ましい場合がある。固体ターゲットは、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源またはレーザ生成プラズマ源（ＬＰＰ）との使用に適合することができ、液体小滴の形成は望ましくない。ＤＰＰ源についてのさらなる詳細は、図３を参照して示される。] 図３
[0040] [0043] 本発明の別の態様によると、放射源ＳＯはテルビウム（Ｔｂ）を含むターゲット材料を使用するように構成されてよい。テルビウム原子構造は実験的に研究され、６．６〜６．８ｎｍの範囲内で強力な輝線を示した。したがって、Ｔｂを含むターゲット材料は、約６．８ｎｍ範囲内の放射を生成するように構成されたターゲットのための代替の解決策を示す。したがって、本発明の実施形態によると、極端紫外線範囲内の波長を有する放射ビームを生成するように構成された放射源において使用されるテルビウムを含むターゲット材料が提供される。]
[0041] [0044] 本発明のさらなる態様によると、Ｔｂの溶融温度を変更するように構成されたＴｂベースの組成物が提供される。Ｔｂ合金は、１３５６℃といった相対的に高い溶融温度を有する。特に、Ｔｂの溶融温度を低下させるように構成された共晶Ｔｂ合金を使用することが好ましい。使用され得る共晶Ｔｂ合金の例を表ＩＩに示す。]
[0042] ]
[0043] [0046] それぞれの合金におけるテルビウムの所定の質量百分率に対して約２倍のテルビウムのオリジナル溶融温度の低下により、Ｔｂ：Ａｌ、Ｔｂ：ＣｕまたはＴｂ：Ｍｎの共晶合金を使用することが望ましい場合がある。リソグラフィ装置のためのターゲット材料としての使用に適した共晶合金は、特定のＴｂ％原子量に限定されないが、あらゆる特定の共晶合金におけるＴｂ原子量の百分率は約６０％〜約９０％の範囲内であってよい。共晶Ｔｂ合金はバイメタル合金に限定されず、３つ以上の金属を含んでよい。]
[0044] [0047] Ｔｂまたは適切なＴｂベースの組成物を含むターゲット材料は、適切な複数の成形前の固体小滴を含んでよい。固体小滴は、１０〜１００マイクロメートルの範囲内、好ましくは、１０〜５０マイクロメートルの範囲内で寸法決めされてよく、よって、小滴の過熱（少なすぎる量のＴｂ）および過度のデブリの生成（多すぎる量のＴｂ）を回避する一方、６．８ｎｍビームの生成のための所望の最適量のＴｂ原子を含むように構成されてよい。１０〜１００マイクロメートルの範囲内で寸法決めされた固体小滴は、６．８ｎｍビームの生成のために約１０１３〜１０１６の範囲内の最適量のＴｂ原子を含むように構成されてよい。例えば、Ｔｂベースの組成物は、固体小滴の形成のために結合剤材料の中に埋め込まれてよい。一実施形態では、そのような固体小滴は、Ｔｂ共晶合金またはＴｂ共晶合金のコロイド化合物を含んでよい。本発明の一実施形態によるターゲット材料は、Ｔｂ、Ｔｂ酸化物またはＴｂ塩のコロイド化合物を含んでよい。選択した塩が水溶性であった場合、固体小滴はそのようなＴｂ塩の凝固した(frozen)水溶液を含んでよい。]
[0045] [0048] 一実施形態によると、デバイス製造方法が提供される。当該方法は、パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することを含み、放射はテルビウムまたはテルビウムの溶融温度を変更するように構成されたテルビウムベースの組成物を含むターゲット材料を用いて生成される。テルビウムベースの組成物は、Ｔｂの溶融温度を低下させるように構成されたＴｂ共晶合金を含んでよい。]
[0046] [0049] 一実施形態によるデバイス製造方法は、パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することを含み、放射は前述したようにＴｂまたはＴｂベースの組成物を含むターゲット材料を用いて生成される。ＴｂまたはＴｂベースの組成物は、複数の成形前の固体小滴として構成されてよい。]
[0047] [0050] 適切なターゲット材料を含む放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。]
[0048] [0051]イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。]
[0049] [0052]放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。]
[0050] [0053] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。]
[0051] [0054] １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。]
[0052] [0055] ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。]
[0053] [0056] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。]
[0054] [0057] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。]
[0055] [0058]図２は、レーザ生成プラズマ源１０に対する構成の一実施形態を概略的に示す。構成１０は、例えば適切な共晶Ｇｄ合金または共晶Ｔｂ合金３などの液化ターゲット材料を用いて構成された容器２を含む。容器２は、領域１へのＧｄ（またはＴｂ）ターゲット材料の液体小滴４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの供給のための適切な機構または開口部（図示せず）を用いて構成されてよい。ここで、小滴は、レーザ源５によって提供されるレーザビーム６によって衝突されるように位置決めされる。レーザビーム６は、好ましくは、適切な光学システム（図示せず）を用いて領域１内で合焦される。 レーザビーム６との相互作用の際、小滴４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、６．８ｎｍ放射を放出するプラズマ状態へと変化し、これは、例えば４ｄ〜４ｆ遷移などの適切な電子遷移によるＧｄまたはＴｂ原子の緩和の特徴である。] 図２
[0056] [0059]発散されるＥＵＶ６．８ｎｍビーム７は、領域１から発散される粒子デブリを収集または偏向するように構成された適切なデブリ緩和システム８によって遮断されてよい。実質的にデブリを有さないＥＵＶビーム７ａは、ビーム７ａを適切に調整するように構成された照明システム９内へと入ってよい。]
[0057] [0060]図３は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源に対する構成の一実施形態を概略的に示す。構成２０は、適切なデリバリ容器２３ａおよび２３ｂから供給され得る、例えば液化Ｇｄ共晶合金または液化Ｔｂ共晶合金３などの液化ターゲット材料によって少なくとも部分的に覆われるように構成された表面を有する２つの回転体２１および２２を含んでよい。回転体２１および２２は、放電を開始するために高電圧２６の下で保たれ、矢印によって概略的に示すように、お互いに向かった方向に回転可能であってよい。約６．８ｎｍの波長を有するＥＵＶビーム２７を生成するために、ターゲット材料は、レーザ源２４によって生成される適切な合焦レーザビーム２５によって照射される。放電生成プラズマを生成するためのそれ自体が公知である他の構成も適用可能であることが理解されるであろう。] 図３
[0058] [0061]図４は、複数の固体小滴４２として構成されるＧｄまたはＴｂターゲット４０の一実施形態を概略的に示す。ＧｄまたはＴｂターゲット４０は、適切な容器４１に提供され得る固体小滴の適切な組成物を含んでよい。固体小滴は、１０〜１００マイクロメートルの範囲、好ましくは１０〜５０マイクロメートルの範囲内で寸法決めされてよく、よって、６．８ｎｍビームの生成のために所望の実質的に最適な量のＧｄまたはＴｂ原子を含むように構成されてよい。小滴の最適加熱温度に関する所望の最適量のＧｄまたはＴｂ原子の計算は、当業者の知識の範囲内にある。容器４１は、個々の小滴４２ａおよび４２ｂを容器の外に供給するための開口ポート４３を含んでよい。個々の小滴４２ａおよび４２ｂは、上記し、かつ図２に示すレーザビーム６のように、適切に適合されたレーザビームがＥＵＶ放射の生成のために存在する領域に供給されてよい。] 図２ 図４
[0059] [0062]固体小滴は、実質的に純ＧｄまたはＴｂ、あるいは共晶合金、塩、酸化物などといったＧｄまたはＴｂを含む適切な組成物に関し得る。そのような成形前の固体小滴を用いることによって、ガドリニウムまたはテルビウムを液化する必要がない。これは、リソグラフィのための６．８ｎｍ放射の生成のためのエネルギーをかなりの量セーブするという利点を有し得る。]
[0060] [0063] 一実施形態では、固体小滴４２は、ＧｄまたはＴｂ粒子、ＧｄまたはＴｂ酸化物粒子、ＧｄまたはＴｂ共晶合金粒子、あるいはＧｄまたはＴｂ塩粒子とさらなるエレメントとのコロイド化合物を含んでよい。]
[0061] [0064] そのようなコロイド化合物は、そこから固体小滴が生成される、例えばプラスチックなどの適切な結合剤材料を用いて結合されてよい。適切なＧｄまたはＴｂ塩が水溶性である一実施形態では、固体小滴はＧｂまたはＴｂ塩の凝固した水溶液を含んでよい。]
[0062] [0065]固体小滴４２はほぼ丸い断面を有するように示されているが、立方体、角柱、楕円または円柱などの他の構成であってもよい。]
[0063] [0066] 前述のターゲット材料について考察したようなリソグラフィ装置は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源または放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源のいずれかを用いて放射ビームを生成するように構成されてよい。]
[0064] [0067] 本発明の実施形態によると、デバイス製造方法が提供されており、ここではパターン付けされた放射ビームは基板上に投影され、放射は、複数の成形前の固体小滴として構成された共晶合金、コロイド化合物、酸化物または塩などのＧｄまたはＧｄ組成物を含むターゲット材料を用いて生成される。]
[0065] [0068] 本発明の実施形態によると、デバイス製造方法が提供されており、ここではパターン付けされた放射ビームは基板上に投影され、放射は、複数の成形前の固体小滴として構成された共晶合金、コロイド化合物、酸化物または塩などのＴｂまたはＴｂ組成物を含むターゲット材料を用いて生成される。]
[0066] [0069] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。]
[0067] [0070]光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。]
[0068] [0071] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、特に約６．８ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射に関する。]
[0069] [0072] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。]
[0070] [0073] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。]
[0071] [0074] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。]

权利要求:

請求項1
極端紫外線範囲内の波長を有する放射ビームを生成する放射源における使用のためのターゲット材料であって、Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物を含む、ターゲット材料。
請求項2
前記組成物はＧｄの前記溶融温度を低下させるように構成されている、請求項１に記載のターゲット材料。
請求項3
前記組成物は、Ｇｄとさらなるエレメントとの共晶合金を含む、請求項２に記載のターゲット材料。
請求項4
前記さらなるエレメントは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｄ、ＲｕおよびＲｈからなる群から選択される、請求項３に記載のターゲット材料。
請求項5
前記共晶合金におけるＧｄ原子量の割合は、約６０パーセント〜約９０パーセントの範囲内である、請求項３または４に記載のターゲット材料。
請求項6
前記ターゲット材料は複数の成形前の固体小滴を含む、請求項１〜５のうちのいずれかに記載のターゲット材料。
請求項7
請求項１〜６のうちのいずれかに記載のターゲット材料を含む、放射源。
請求項8
請求項７に記載の放射源を含む、リソグラフィ装置。
請求項9
極端紫外線範囲内の波長を有する放射ビームを生成するためのターゲット材料であって、複数の成形前の固体小滴として構成されたＧｄを含む、ターゲット材料。
請求項10
前記ターゲット材料は、Ｇｄ、Ｇｄ酸化物、Ｇｄ共晶合金またはＧｄ塩のコロイド化合物を含む、請求項９に記載のターゲット材料。
請求項11
前記塩は水溶性であり、前記固体小滴はＧｄ塩の凝固した水溶液を含む、請求項１０に記載のターゲット材料。
請求項12
請求項９〜１１のうちのいずれかに記載のターゲット材料を含む、放射源。
請求項13
請求項１２に記載の放射源を含む、リソグラフィ装置。
請求項14
極端紫外線範囲内の波長を有する放射ビームを生成する放射源において使用されるターゲット材料であって、テルビウムを含む、ターゲット材料。
請求項15
前記テルビウムは共晶合金に設けられる、請求項１４に記載のターゲット材料。
請求項16
複数の固体小滴として構成されている、請求項１４または１５に記載のターゲット材料。
請求項17
請求項１４、１５または１６のうちのいずれかに記載のターゲット材料を含む、放射源。
請求項18
請求項１７に記載の放射源を含む、リソグラフィ装置。
請求項19
パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、前記放射はテルビウムを含むターゲット材料を用いて生成される、デバイス製造方法。
請求項20
Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物と、前記放射ビームを生成するためにレーザビームを前記ターゲット材料に供給するレーザ源とを含む、放射源。